首創！　聯電宣佈產出第一個28奈米製程SRAM晶片

(2008/10/27 19:28)

Nownews記者楊伶雯／台北報導

聯電（2303）27日宣佈，已成功產出晶圓專工業界第一個全功能28奈米製程SRAM（靜態隨機存取記憶體）晶片，聯電採用先進的雙重曝影（double-patterning）浸潤式微影術、與應變矽工程來生產這個晶片，極小六電晶體SRAM元件尺寸約為0.122um2。

聯電指出，這個晶片是建立於聯電自行開發的低漏電（low-leakage, LL）製程之上，先進技術開發處副總簡山傑表示，對這項28奈米製程上最新的成就感到非常興奮，這個晶片為28奈米製程邁向主流製程的未來發展提供了穩固的起始點。未來研發的重點會集中在供應電壓極小化、應變效應的模型與自然良率上。

聯電指針對不同的市場應用產品，在28奈米製程上使用兩種閘極技術，聯電指出，針對低漏電製程採用傳統矽閘極 ／氮氧化矽閘極氧化層技術，對可攜式應用產品例如手機晶片來說是非常理想的選擇。

另外，聯電針對著重速度的產品例如繪圖、應用處理器與高速通訊晶片，則是採用高介電係數閘電介質 (high-k gate dielectric)／金屬閘極 (metal gate)的先進閘極技術。

聯電說，40奈米製程在12吋晶圓廠生產中，28奈米製程較40奈米製程提供近兩倍的密度，聯電同時根據28奈米製程平台，將針對32奈米客製化製程提供晶圓專工服務。

來源：http://www.nownews.com/2008/10/27/11490-2356217.htm