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引言:Kiss99 2008/11/06 01:17

首創! 聯電宣佈產出第一個28奈米製程SRAM晶片

(2008/10/27 19:28)

聯電宣佈產出第一個28奈米製程SRAM晶片。

Nownews記者楊伶雯/台北報導

聯電(2303)27日宣佈,已成功產出晶圓專工業界第一個全功能28奈米製程SRAM(靜態隨機存取記憶體)晶片,聯電採用先進的雙重曝影(double-patterning)浸潤式微影術、與應變矽工程來生產這個晶片,極小六電晶體SRAM元件尺寸約為0.122um2。

聯電指出,這個晶片是建立於聯電自行開發的低漏電(low-leakage, LL)製程之上,先進技術開發處副總簡山傑表示,對這項28奈米製程上最新的成就感到非常興奮,這個晶片為28奈米製程邁向主流製程的未來發展提供了穩固的起始點。未來研發的重點會集中在供應電壓極小化、應變效應的模型與自然良率上。

聯電指針對不同的市場應用產品,在28奈米製程上使用兩種閘極技術,聯電指出,針對低漏電製程採用傳統矽閘極 /氮氧化矽閘極氧化層技術,對可攜式應用產品例如手機晶片來說是非常理想的選擇。

另外,聯電針對著重速度的產品例如繪圖、應用處理器與高速通訊晶片,則是採用高介電係數閘電介質 (high-k gate dielectric)/金屬閘極 (metal gate)的先進閘極技術。

聯電說,40奈米製程在12吋晶圓廠生產中,28奈米製程較40奈米製程提供近兩倍的密度,聯電同時根據28奈米製程平台,將針對32奈米客製化製程提供晶圓專工服務。

來源:http://www.nownews.com/2008/10/27/11490-2356217.htm

 

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